トランジスタの線及び電子線照射効果; 線量率及び照射温度の効果

平尾 敏雄; 吉川 正人; 森田 洋右; 貝賀 秀明*; 矢田 正信*

JAERI-M 89-207, 128 Pages, 1989/12

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使用環境に応じた半導体素子の照射劣化挙動を調べるために、バイポーラトランジスタ2種及びパワーMOSトランジスタを用いて、線照射による電気特性の線量率依存性を求めた。線量率依存性の他に電子線と線照射との比較及び照射温度を-40C~100Cまで変化された時の電気特性の変化も求めた。なお、線照射の線量率は、10R/h~10R/hまでの広い範囲にわたって行った。この結果、高耐圧低速度スイッチング及び通信工業用の2SB603(PNP)トランジスタの電気特性で顕著な線量率及び照射温度依存性が認められたが、高速度スイッチング及び高周波増幅用の2SC764(NPN)及びNチャンネルパワーMOSトランジスタの電気特性では、線量率及び照射温度依存性が少ないことが明らかとなった。